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NAND型フラッシュメモリ
小型半導体メモリで、56nmのプロセス技術、
16Ｇビットの大容量メモリを実現。
フラッシュメモリは、小型でデータの書き込みや書き換え、消去が自在にできる半導体メモリとして急速に普及してきました。世界に先駆け東芝が開発したNAND型フラッシュメモリは、メモリセルごとに2ビットのデータを記録する多値技術を開発。従来の2倍の記録容量を可能とし、すでに16Gビットの大容量化を実現しています。また、1パッケージにチップ8
個を積み重ねる組み立て技術により128Gビット(16Gバイト)の製品を実現しています。NAND型フラッシュメモリは、小型･大容量の記録メディアとして注目されています。
ここがポイント！最先端 電気で記録、NAND型フラッシュメモリのしくみ
多値技術で記録容量が2倍に
NAND型フラッシュメモリは、電気的にデータの書き込み・消去ができ、電源を切ってもデータが消えない特長を持っています。情報を記憶するメモリセルは制御ゲートとシリコン基板の間に浮遊ゲートを設けた構造からなり、浮遊ゲートに電子がある状態を「0」、電子のない状態を「1」の情報に相当させて、データを記憶させます。情報を書き込むときは、制御ゲートに電圧をかけて電子を浮遊ゲート内に引き込み、注入します。浮遊ゲート内の電子は、まわりを取り囲む絶縁体によって保たれるため、電源を切っても記録が消えることはありません。情報を読み出すときは、制御ゲートに電圧をかけ、メモリセル内の電流が流れ出す値から、書き込まれた情報を読み取ります。また、浮遊ゲート内の電子の有無により、メモリセルごとに0か1を記録するだけでなく、浮遊ゲート内の電子の量まで制御することで、ひとつのメモリセルにより多くの値を記録することができます。これを多値技術と呼びます。メモリセルごとに00、01、10、11の4つの値のどれかを記録すると、それまでの2倍の量の記録が可能になります。
